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七年發展進程 中國“自主芯”從一片空白躋身世界一(IGBT模
送交者: 力挽狂瀾 2016年03月03日18:49:03 於 [軍事天地] 發送悄悄話

  近日,中國“自主芯”首次進入柔性直流輸電領域。這個“自主芯”即是中車株洲所自主生產的IGBT模塊。

  “短短7年,我們從一片空白躋身世界一流。”談及IGBT產業的發展,中車株洲所旗下子公司時代電氣半導體事業部副總經理劉國友說。

  現代機車車輛裝備要實現高速和重載,關鍵是機車要有一個強大的“心臟”,這個“心臟”便是牽引電傳動系統。要實現機車功率等級提高和操控的靈活自如,離不開IGBT。儘管一塊IGBT模塊只有巴掌大小,但它卻是駕馭一台龐大機車的核心。

  中車株洲所擁有50多年的深厚積澱,是中國軌道交通關鍵部件裝備的核心力量。儘管從二十世紀60年代開始,中車株洲所通過自身培育和國外引進等方式,掌握了雙極器件技術,但對於技術更為先進的IGBT芯片及模塊設計、製造技術還是一片空白。

  “每年,公司都得花費數億元從國外採購IGBT產品。”劉國友介紹。

  面對市場的需求,中車株洲所打響了一場“IGBT項目攻堅戰”。

  2005年,中車株洲所子公司中車時代電氣在株洲成立。

  為儘快比肩國際先進水平,中車時代電氣決定走技術引進與合作的道路。經過一系列嚴格的論證,中車株洲所首次通過併購方式,於2008年10月31日成功收購英國丹尼克斯半導體公司75%的股權,成為中國軌道交通裝備企業首個海外併購項目。

  這是一個雙贏的漂亮舉措。丹尼克斯獲得了資金,中車占領了歐洲的“橋頭堡”。

  2010年5月,中車時代電氣藉助丹尼克斯在歐洲的“橋頭堡”作用,在英國林肯成立功率半導體海外研發中心,成為中國軌道交通裝備製造企業首個海外研發中心。中心匯聚了來自中國外派和歐洲全球半導體行業的40餘名頂尖的中外高級專家,投入精力集中開發新一代IGBT芯片技術、新一代高功率密度IGBT模塊技術和下一代碳化硅功率器件技術等前沿基礎技術。

  為了儘快實現IGBT的完全國產化,中車時代電氣同時在國內加快了IGBT產業化進程。

  2011年5月,中車時代電氣投入約16億元,在株洲建設國內第一條8英寸的IGBT芯片生產基地, 2014年6月20日建成並交付使用。“建設這個8英寸IGBT生產線,整個技術團隊中,只有一名英國工程師”。這也是世界第二條8英寸IGBT專業芯片生產線。由此,中車時代電氣成為國內唯一一家全面掌握IGBT芯片技術研發、模塊封裝測試和系統應用的企業。

  2014年11月,裝有首批自主8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵實現成功運行,各項參數指標均達國際先進水平。這意味着,由中車時代電氣自主研製生產的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷,實現從研發、製造到應用的完全國產化。

  “現在,我們的技術與世界同類企業幾乎同步”。究其原因,劉國友認為,中車時代電氣走出了一條成功之路,即借英國功率半導體研發中心這一平台,培養了一大批技術骨幹,完全消化並對IGBT技術進行了再創新。

  短短7年,中車時代電氣藉助資本運作平台,抓住歷史機遇,讓IGBT產業完全國產化成為現實,也實現了電力電子產業和民族裝備產業的騰飛。(

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