存儲器要做出來並不難，美、日、韓、台灣地區都可以，中國大陸也不可能例外。阻礙主要來自於如何覆蓋成本，工藝製程和良率的差距導致成本競爭力不如對手，另外設備折舊更是占據生產成本的40%-50%。
可以想見，如果中國大陸存儲產業崛起速度過快，三星、SK海力士、美光，東芝等國際大廠必然會以價格戰來壓制。
本文將從產業發展規律、技術趨勢、產業政策等多方面分析台灣地區發展存儲器的經過和最終退出的原因。
事實上，台灣地區在取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設計第二的成績之後定下更加宏大的半導體產業目標：1、總產值要超過韓國，成為繼美國、日本之後的全球第三位；2、在未來三至五年中，存儲器產業要超過韓國，成為全球第一。
為什麼以存儲器為突破口？
這是一個值得思考的好問題。回顧80年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設計技術相對簡單且易於擴大市場份額。
韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產能優勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產業第一的的寶座。
台灣地區試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。結果台灣並未成功，三星及SK海力士仍雄居全球存儲器市場第一和第二的位置。
重投資策略未能奏效
半導體業內有個“潛規則”，只要捨得投資就有可能成功。例如台灣地區半導體業在90年初代工模式剛興起時，年投資金額與年銷售額之比達60%以上。
根據此經驗，台灣地區從2004年開始加速存儲器方面的投資。從2004至2008年，台灣地區在存儲器方面的總投資達300億美元以上，擁有近20條12英寸晶圓生產線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。
但是最終並未因12英寸晶圓生產線多而取得勝利，隨後台灣地區放棄存儲器追趕策略，轉向固守陣地。
台灣DRAM與三星在投資方面的比較
原因初探
台灣地區在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認為台灣地區在半導體策略上的一次重大失誤。據筆者觀察有以下三個主要原因：
首先，台灣地區在發展存儲器產業中主要採用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。
眾所周知，在DRAM產業中有兩個趨勢已成為共識，一個是工藝製程轉變快，緊跟摩爾定律。另一個是月產能達15萬片的超級大廠盛行，投資高達50-80億美元。主要原因是出於運營成本的考慮，運行3個5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個15萬片晶圓廠。
按此理分析，代工廠的產能小，無法與IDM廠競爭。當產能足夠大時，一來代工廠擔心未來訂單不足而猶豫擴充產能，同時那些IDM廠又擔心代工廠會與自己爭奪客戶。
另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進製程的產品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業中受到質疑，中芯國際於2007年退出存儲器代工可能也是基於此理。
其次，台灣地區存儲器產業中缺乏自有技術，過多的依賴於技術轉移。例如，此前力晶與爾必達，茂德與SK海力士及華亞科與奇夢達（現在的美光）。台灣地區廠商基本都沒自主技術，等於缺乏脊梁。
這也是台灣地區存儲器追趕韓國失敗的主要原因。
最後，是全球存儲器的市場未能達到預期。當時，幾乎2/3的新建或擴充產能集中在存儲器產業中，但需求端並沒有快速成長，造成供過於求的局面，最終導致DRAM和NAND閃存價格的持續下跌完全超出市場預期。
台灣地區存儲器產業經過近5年努力，花費300億美元以上的投資，結果未能超過韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實力之強大；另一方面也證明光靠花錢並不能解決問題。
隨着華亞科在2016年正式被美光收購，也標誌着台灣地區自主存儲器產業沒落，雖然還有相關產業存在，但已不是台灣地區公司和資本主導。
任何策略都不可能簡單地複製，任何成功都是由多個因素共同促成的。台灣地區在半導體業總體上是成功的，但是此次存儲器之夢未能實現。
莫大康 全球半導體觀察
