EUV光刻機的原理，說起來很簡單：用激光器激發出13．5nm波長的極紫外線，然後經過矯正後形成一束可控的光，再用能量控制器，將這一束光投射到光掩膜台後，再經過物鏡投射到曝光台，最後在塗了光刻膠的硅晶圓上蝕刻出電路。

一台EUV光刻機有三項核心技術，分別是頂級的光源（激光系統）、高精度的鏡頭（物鏡系統）、精密儀器製造技術（工作檯），如見圖1所示。

圖1

ASML光刻機的核心技術來源如下：

（1）激光系統就是產生極紫外線的系統，這項技術來源於美國企業Cymer，2012年被ASML收購了。

（2）高精度的鏡頭，也就是將激光進行收集成束，以及物鏡系統，這一塊的技術來源德國的蔡司，蔡司拿出了全世界最平表現的元件，那就是分布式布拉格反射器。

（3）第三項核心技術，也就是精密儀器製造技術，也來自於德國，甚至連核心一中的整體打包方案都是德國TRUMPF公司提供的。

除此之外，光刻膠在製程中也舉足輕重，這一技術目前由日本公司壟斷。

以上信息來自網上，特別參考鏈接：

https://ee.ofweek.com/2023-02/ART-8500-2800-30586991.html

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以下為本人分析。

中國對EUV的研究，始於20年前。多年來，長春光機所哈工大等單位在上述（1）和（2）領域內，雖有所建樹，都屬於實驗室內科研性質的探討，但離建成商業性質的完整可靠可控的EUV核心部件，只能說剛剛摸到門檻，更別說三個部分的系統組合與精密控制。此外，用於EUV的高純度光刻膠，仍是空白，有待於研發。

中國2023年年底預計建成第一台浸潤式28納米光刻機。從28納米到5納米要經過三次升級：14納米，7納米，5納米。每一次升級將面臨無數困難，而由於外國封鎖，解決困難的方法自己只能慢慢摸索。想在十年內三級跳，幾乎不可能。

【結論】考慮到中國在上述三個領域的短板，加上EUV光刻膠的空白，期待中國在十年之內研發製造出5納米的EUV光刻機，似乎是過度樂觀了。