中國大陸光刻水平根據十四原理，大約提升到4-7納米之間

仝天
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本來中國大陸的光刻水平在14-28納米之間，28/4=7納米，14/4=3.5納米，可是，大陸的DUV光刻機，本來在28納米之間，經過多重暴光來到14納米，當然繼續重複暴光，接近7納米，華為的Mate60手機，就是經過多重暴光生產的，當然，有可能還請人幫忙了，總之，這樣的光刻，良率低的慘不忍睹。

中國大陸政治部，看了我的論談之後，如獲至寶，當天將此事告訴中共的光刻機專家，軍方政治部看了我的論談，亦如獲至寶。

經過專家的試驗，光刻水平，成熟製程已經達到4-7納米，想要達到3納米，光源不給力。

也許中共專家，很有可能會將三二原理，十四原理拿去申請專利。

關於十四原理，是原理，諸位也可以把它當成技術，可是，十四口，砌牆，鋪設地板，瞄準鏡，等等，日常生活都要用到十四口原理，若中共專家將它註冊為技術，哪就鬧笑話了，對於中共來說，將它註冊，哪就是泄密。

中國大陸之所以沒法達到3納米，2納米，或7/4=1.75納米，是因為中國大陸專家不懂專懂，所以，當他繼續使用十四口原理時，就遇到了瓶頸。