中国大陆光刻水平根据十四原理，大约提升到4-7纳米之间

仝天
lll1717iii@yahoo.com

本来中国大陆的光刻水平在14-28纳米之间，28/4=7纳米，14/4=3.5纳米，可是，大陆的DUV光刻机，本来在28纳米之间，经过多重暴光来到14纳米，当然继续重复暴光，接近7纳米，华为的Mate60手机，就是经过多重暴光生产的，当然，有可能还请人帮忙了，总之，这样的光刻，良率低的惨不忍睹。

中国大陆政治部，看了我的论谈之后，如获至宝，当天将此事告诉中共的光刻机专家，军方政治部看了我的论谈，亦如获至宝。

经过专家的试验，光刻水平，成熟制程已经达到4-7纳米，想要达到3纳米，光源不给力。

也许中共专家，很有可能会将三二原理，十四原理拿去申请专利。

关于十四原理，是原理，诸位也可以把它当成技术，可是，十四口，砌墙，铺设地板，瞄准镜，等等，日常生活都要用到十四口原理，若中共专家将它注册为技术，哪就闹笑话了，对于中共来说，将它注册，哪就是泄密。

中国大陆之所以没法达到3纳米，2纳米，或7/4=1.75纳米，是因为中国大陆专家不懂专懂，所以，当他继续使用十四口原理时，就遇到了瓶颈。