芯片光刻，华为任正非数学补物理，物理也可补数学，相互相成

仝天
lll1717iii@yahoo.com

上篇论谈，我如此论述:

EDA的，A，两条斜线倒过来就是V，V加一横就是倒过来的A。

光沿着A的两条斜线运动，假如能够刻录7纳米，若那"一"横拉长，向上就是聚焦缩小，能光刻5纳米，3纳米，2纳米，甚至1纳米，光向下，则发散放大，当然，那"一"横亦可缩短，这取决于具体需要。

当然，V光刻的光线是与A光刻的光线是倒过来的，光刻机光线聚焦形状相当于V，V斜线角度的大小，决定着光刻度成像的大小，这就涉及到了透镜的材料，折射率，折射角度等工艺问题了。

当然，光线沿着V从上往下聚焦，还与成象焦距有关，A又反了过来。

台积电，中芯国际，之所以能够使用DUV光刻机生产7纳米芯片，就是领悟了上述原理，焦距调节更是一个技术性问题，焦距长短，A或V的角度，直接关系到光刻的精度。

A或V，在不改变折射角的情况下，要如何才能够提升光刻精度，改变折射率?，在不考虑使用十四神器原理的情况下，令光刻从7纳米提升到3纳米2纳米1纳米?。

这就需要使用物理补数学了，在制作透镜时，改变材料的等比等分配比。

如何改变透镜材料的等比等分?。

微软OFFICE中的EXCEL，两条垂直线ABCD......，1234......，将垂直线反白，只要缩短和拉长两条垂直线的等分等比，就能够改变EXCEL中十四格子的大小，直接改变透镜材料的折射率，光的密度和光的速度。

所以，使用此法就能够就能够制作出合格合适的光刻透镜，这就牵涉到了如何才能够制造物理透镜的材料问题，和制作透镜的工艺问题，当然，以如今中国大陆的工艺制造水平来说，这不是一个很难的问题。

当然，EXCEL亦可做成立体格子，只不过，我们的软件设计技术达不到这个立体视觉成像水平。

当然，上述十四格子的缩放亦可用于CHIP棋谱的棋盘棋子的设计，而AI的问题，就是A和I的问题，A我已经论谈过来，至于I，更加简单，即可横写为"一"，亦可竖写为"1"，只有抓住"爱新"(AI芯)觉罗，中国的AI技术才能够突飞猛进。

光刻透镜材料的格子间距改变，导致材料密度精度亦发生改变，那么密度折射率光速亦会跟着改变，到时，光在透镜中的运行就会更加通透，光刻缩影成象就会越精致，光刻越精致，那么生产出来的芯片质量越高。

同理，在制作光源时，亦可采用上述论谈原理，通过数学物理方法，甚至能够令光源发射出来的激光低于13.5纳米，而不需要制造出非常复杂的EUV光刻机设备。

EUV光刻技术使用到了太多光的反射原理，这对于纳须弥于芥子的光刻来说，那是多余的，只需要使用DUV透镜折射原理，即可达到3纳米或以下的光刻技术水平。

传言中国大陆已经研究出了13.5纳米的光源，亦在研制EUV光刻机，无论是EUV还是DUV光刻机，最主要的核心设备就是: 光源和透镜。

大家都聚焦于光源问题，而忽略了透镜的材料问题，所以，才令中国大陆一度被西方卡住了脖子，该论谈，我只谈了透镜的折射角度，折射率，透镜材料通透和其密度问题。

至于光源问题，那是另一个问题了。

如今中国大陆的13.5纳米光源问题还处于实验室阶段，还没有将试验成果搬到工厂进行生产和运用，与其等待光源研究出成果，还不如直接研究和改变透镜等分等比，这会来的更快捷和容易，当然，十四神器原理另外。

我的论谈仅仅是给诸位一个提示或启示，具体操作还得靠诸位自己来进行不断试验，或进一步运用。

论谈，对于我来说，那就是天马行空，若不手把手地论谈，面对美国的AGI研究，中共将两眼摸黑。

对于我来说，我更加关心的是共军习总共军李总共军张又侠副主席尽快将五十五亿欧元论谈费给我送来。