1.1 背景：3D IC 物理设计挑战
三维集成电路（3D IC）相较传统 2D 设计具有显著优势：互连线长更短、晶体管密度更高、
逻辑与存储层可异质集成、能效更优。然而，从 2D 向 3D 的跨越也引入了一类全新的物理设计
挑战：
1. 热耦合：垂直堆叠的层间热传导会导致热斑，且具有显著的时间延迟效应。
2. TSV 开销：硅通孔（Through-Silicon Via）消耗大量面积，引入寄生电阻/电容，并产生机械应
力。
3. IR-drop 退化：电源分配网络（PDN）需跨越多层供电，远离电源的单元承受更大的电压降。
4. 时钟分配：多层时钟树必须平衡各层的到达时间。
5. 多目标优化：上述物理效应相互耦合且往往彼此冲突。