EUV光刻机的原理，说起来很简单：用激光器激发出13．5nm波长的极紫外线，然后经过矫正后形成一束可控的光，再用能量控制器，将这一束光投射到光掩膜台后，再经过物镜投射到曝光台，最后在涂了光刻胶的硅晶圆上蚀刻出电路。

一台EUV光刻机有三项核心技术，分别是顶级的光源（激光系统）、高精度的镜头（物镜系统）、精密仪器制造技术（工作台），如见图1所示。

图1

ASML光刻机的核心技术来源如下：

（1）激光系统就是产生极紫外线的系统，这项技术来源于美国企业Cymer，2012年被ASML收购了。

（2）高精度的镜头，也就是将激光进行收集成束，以及物镜系统，这一块的技术来源德国的蔡司，蔡司拿出了全世界最平表现的元件，那就是分布式布拉格反射器。

（3）第三项核心技术，也就是精密仪器制造技术，也来自于德国，甚至连核心一中的整体打包方案都是德国TRUMPF公司提供的。

除此之外，光刻胶在制程中也举足轻重，这一技术目前由日本公司垄断。

以上信息来自网上，特别参考链接：

https://ee.ofweek.com/2023-02/ART-8500-2800-30586991.html

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以下为本人分析。

中国对EUV的研究，始于20年前。多年来，长春光机所哈工大等单位在上述（1）和（2）领域内，虽有所建树，都属于实验室内科研性质的探讨，但离建成商业性质的完整可靠可控的EUV核心部件，只能说刚刚摸到门槛，更别说三个部分的系统组合与精密控制。此外，用于EUV的高纯度光刻胶，仍是空白，有待于研发。

中国2023年年底预计建成第一台浸润式28纳米光刻机。从28纳米到5纳米要经过三次升级：14纳米，7纳米，5纳米。每一次升级将面临无数困难，而由于外国封锁，解决困难的方法自己只能慢慢摸索。想在十年内三级跳，几乎不可能。

【结论】考虑到中国在上述三个领域的短板，加上EUV光刻胶的空白，期待中国在十年之内研发制造出5纳米的EUV光刻机，似乎是过度乐观了。