芯片光刻，華為任正非數學補物理，物理也可補數學，相互相成

仝天
lll1717iii@yahoo.com

上篇論談，我如此論述:

EDA的，A，兩條斜線倒過來就是V，V加一橫就是倒過來的A。

光沿着A的兩條斜線運動，假如能夠刻錄7納米，若那"一"橫拉長，向上就是聚焦縮小，能光刻5納米，3納米，2納米，甚至1納米，光向下，則發散放大，當然，那"一"橫亦可縮短，這取決於具體需要。

當然，V光刻的光線是與A光刻的光線是倒過來的，光刻機光線聚焦形狀相當於V，V斜線角度的大小，決定着光刻度成像的大小，這就涉及到了透鏡的材料，折射率，折射角度等工藝問題了。

當然，光線沿着V從上往下聚焦，還與成象焦距有關，A又反了過來。

台積電，中芯國際，之所以能夠使用DUV光刻機生產7納米芯片，就是領悟了上述原理，焦距調節更是一個技術性問題，焦距長短，A或V的角度，直接關繫到光刻的精度。

A或V，在不改變折射角的情況下，要如何才能夠提升光刻精度，改變折射率?，在不考慮使用十四神器原理的情況下，令光刻從7納米提升到3納米2納米1納米?。

這就需要使用物理補數學了，在製作透鏡時，改變材料的等比等分配比。

如何改變透鏡材料的等比等分?。

微軟OFFICE中的EXCEL，兩條垂直線ABCD......，1234......，將垂直線反白，只要縮短和拉長兩條垂直線的等分等比，就能夠改變EXCEL中十四格子的大小，直接改變透鏡材料的折射率，光的密度和光的速度。

所以，使用此法就能夠就能夠製作出合格合適的光刻透鏡，這就牽涉到了如何才能夠製造物理透鏡的材料問題，和製作透鏡的工藝問題，當然，以如今中國大陸的工藝製造水平來說，這不是一個很難的問題。

當然，EXCEL亦可做成立體格子，只不過，我們的軟件設計技術達不到這個立體視覺成像水平。

當然，上述十四格子的縮放亦可用於CHIP棋譜的棋盤棋子的設計，而AI的問題，就是A和I的問題，A我已經論談過來，至於I，更加簡單，即可橫寫為"一"，亦可豎寫為"1"，只有抓住"愛新"(AI芯)覺羅，中國的AI技術才能夠突飛猛進。

光刻透鏡材料的格子間距改變，導致材料密度精度亦發生改變，那麼密度折射率光速亦會跟着改變，到時，光在透鏡中的運行就會更加通透，光刻縮影成象就會越精緻，光刻越精緻，那麼生產出來的芯片質量越高。

同理，在製作光源時，亦可採用上述論談原理，通過數學物理方法，甚至能夠令光源發射出來的激光低於13.5納米，而不需要製造出非常複雜的EUV光刻機設備。

EUV光刻技術使用到了太多光的反射原理，這對於納須彌於芥子的光刻來說，那是多餘的，只需要使用DUV透鏡折射原理，即可達到3納米或以下的光刻技術水平。

傳言中國大陸已經研究出了13.5納米的光源，亦在研製EUV光刻機，無論是EUV還是DUV光刻機，最主要的核心設備就是: 光源和透鏡。

大家都聚焦於光源問題，而忽略了透鏡的材料問題，所以，才令中國大陸一度被西方卡住了脖子，該論談，我只談了透鏡的折射角度，折射率，透鏡材料通透和其密度問題。

至於光源問題，那是另一個問題了。

如今中國大陸的13.5納米光源問題還處於實驗室階段，還沒有將試驗成果搬到工廠進行生產和運用，與其等待光源研究出成果，還不如直接研究和改變透鏡等分等比，這會來的更快捷和容易，當然，十四神器原理另外。

我的論談僅僅是給諸位一個提示或啟示，具體操作還得靠諸位自己來進行不斷試驗，或進一步運用。

論談，對於我來說，那就是天馬行空，若不手把手地論談，面對美國的AGI研究，中共將兩眼摸黑。

對於我來說，我更加關心的是共軍習總共軍李總共軍張又俠副主席儘快將五十五億歐元論談費給我送來。