2月5日，《紐約時報》刊登題為《美國對中國芯片雄心的擔憂與日俱增》的文章，文章中稱，“中國正投入巨資打造本國半導體產業，這一提升其軍事力量及本土科技產業的舉動引起華盛頓的注意”。而在2016年1月下旬，美國外商投資委員會否決了中國投資者以29億收購飛利浦旗下子公司的照明業務的提議，就是美國政府擔憂的具體體現。這早已不是第一次中資收購國外科技公司被美國政府阻擾，從早些年華為試圖收購3COM，到去年紫光提出收購鎂光被否決，中資在海外收購科技公司被行政力量阻撓已經屢見不鮮。

美國為何阻撓收購

美國政府要阻止的並非中國投資人所收購的照明業務本身，而是要阻止中國投資人通過收購飛利浦旗下子公司的照明業務後，進而掌握第三代半導體材料氮化鎵的相關技術。

半導體材料發展至今已歷三代：第一代半導體材料以鍺和硅為代表，被廣泛運用於集成電路製造領域；第二代半導體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，主要應用於以光發射器件為基礎的光顯示、光通信和光存儲等光電子系統；第三代半導體材料則以氮化鎵、碳化硅、金剛石為代表，具有具有寬的帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、高熔點（1700攝氏度）、耐腐蝕等優點。特別是在傳統材料的功率器件發展到材料極限，已經很難滿足高頻、高溫、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情況下，氮化鎵則可憑藉其材料特性，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面取而代之。

可以說，氮化鎵已經全球半導體研究的前沿和熱點。那麼，“高大上”的第三代半導體材料是怎樣和普普通通的電燈產生交集的呢？

由於氮化鎵的優異材料特性——氮化鎵基LED比傳統LED外形更小、功率更高、發光度更強，使其在LED電視、顯示器和普通照明領域獲得大展拳腳的空間，而中國一旦完成對飛利浦旗下子公司Lumileds的控股，則有可能獲得氮化鎵方面的相關技術。

更關鍵的是，氮化鎵在高頻大功率應用方面，其功率密度是現有的砷化鎵材料器件的10倍，不僅可以廣泛運用於通信基站、電動機車、電動汽車、風力發電等民用領域，還可以用於相控陣雷達等特殊領域。

因此，無論是對半導體產業的發展，還是在軍事應用方面，氮化鎵都有非常重要的意義。美國政府之所以阻止中國投資人收購飛利浦旗下子公司的照明業務，既有出於技術在軍事應用和國家安全方面的考慮，但更多的還是出於打壓中國半導體產業發展，保持美國科技公司技術優勢方面的考量。

美國緣何“擔憂”

中國被一些網友譽為“發達國家粉碎機”——任何一個工業領域，只要中國人突破了技術門檻，那就基本沒外國人什麼事了。部分發達國家在失去高附加值的工業品以剪刀差獲取高額利潤後原形畢露，在造血能力大幅萎縮後，又要維持高福利，進而產生“老歐洲病”，比如深陷債務危機的“歐洲四豬”。

在去工業化的浪潮下，美國本土勞動力密境型製造業大量轉移到第三世界國家，半導體等資本技術密集型產業對美國的重要性不言而喻。

近年來，中國以資金、政策，以及對外技術合作、海外收購等多種方式扶持本土半導體產業，不僅在投入上不惜血本，而且在局部領域成果斐然：

IC設計領域

一方面整合國內IC設計公司——紫光在2013年底以18億美元和9.1億美元分別將國內最大的兩家IC設計公司展訊和銳迪科收購，實現資源整合。

另一方面試圖引進國外技術——在2013年與VIA合資成立兆芯，並由兆芯承接核高基1號專項，給予不少於70億資金；在2014年與IBM合資，獲得資金不少於20億；2016年1月17日，貴州省人民政府與美國高通公司簽署戰略合作協議，成立華芯通半導體技術有限公司，貴州政府出資18.5億占股55%，高通以技術入股持股45%；2016年1月22日，清華大學、瀾起科技和英特爾在華建服務器芯片合資公司……(不過，筆者對上述合資/合作仍有些擔心，發展路線一旦錯了很可能南轅北轍)

晶圓代工領域

在資金上，集成電路大基金向中國大陸最大的芯片代工企業中芯國際注資30.99億元人民幣；上海市政府投入300億元集成電路製造基金，用來支持在滬興建新一代超大規模集成電路生產線。

在技術上，在中國政府的協調下，中芯國際、華為、高通以及比利時微電子研究中心（imec）共同投資中芯國際集成電路新技術研發（上海）有限公司，着力研發14納米CMOS量產技術，而且研發將在中芯國際的生產線上進行。據小道消息稱，中芯國際將於2018年風險量產14nm芯片。

簽約儀式

此外，中國政府還引入芯片代工業龍頭老大台積電在南京投資——台積電計劃投資30億美元在南京設立12寸晶圓廠（月產兩萬片），並於2018年下半年導入16nm製程。

封測領域

封測領域是中國大陸和海外公司差距最小的領域。2015年，紫光試圖收購矽品、力成、南茂備受矚目，由於在《紫光豪擲百億收購兩家台灣半導體公司 會成為中國版三星嗎》已有詳細介紹，本文不再贅述。

相比較於紫光的買買買，江蘇長電科技成功擊敗台灣日月光半導體，和日本村田一同獲得蘋果SIP模塊訂單則更具含金量，而這也與國家的扶持息息相關——長電科技獲得大基金注資2.8億美元，並在大基金和中國銀行的支持下，以7.8億美元（其中集成電路大基金出資1.4億美元，中國銀行貸款1.2億美元）收購新加坡星科金朋。在實現蛇吞象後，又投資2億美元擴充廠內SIP模塊封測生產線。

製造設備領域

晶圓代工和封裝測試離不開光刻機、刻蝕機、減薄機、劃片機、裝片機、引線鍵合機、倒裝機等製造設備的輔助。為實現這些半導體製造設備國產化，中國政府不惜投入巨資扶持——上海市政府於2015年投資上海微電子2.2億元；集成電路大基金投資中微半導體4.8億元；七星電子募集9.3億元配套資金（國家集成電路基金認購6億元，京國瑞基金認購2億元，芯動能基金認購1.3億元），用於北方微電子“微電子裝備擴產項目”建設並補充上市公司流動資金。

雖然半導體製造設備市場份額大半被美國應材、ASML、東京電子等國外公司壟斷，但中國企業已經向該領域吹響了衝鋒的號角：

中電科建成國內首條具有完全自主知識產權的集成電路後封裝示範線，減薄機、劃片機、裝片機、引線鍵合機、倒裝機等集成電路後封裝關鍵設備相繼實現尺寸從6英寸、8英寸到12英寸，機型從半自動到全自動，封裝工藝從傳統封裝、晶圓級封裝到三維封裝的市場覆蓋。並為某客戶順利完成了批量化減薄、劃切、挑粒任務，全部100%良率出貨。

中微半導體已掌握能用於15nm—28nm及以下的芯片刻蝕加工刻蝕機的生產技術，產品遠銷韓、台、新，其中對韓出口占中微半導體營收三成。北方微電子的28nm刻蝕機被中芯國際批量採購。

雖然在前道光刻機方面，上海微電子和ASML有比較大的差距，但在封裝光刻機等領域，上海微電子的國內市場占有率超過80%，全球市場占有率為40%；在用於LED製造的投影光刻機的市場占有率為20%。

國人可以期待，在10年之後，半導體製造設備全面國產化將不再僅僅是幻想。

結語

總之，中國在扶持本土半導體產業發展方面是從半導體材料、IC設計、代工、封測、半導體製造設備全方位的扶持，並力爭以全產業鏈的形式實現“通吃”。

一旦半導體產業被中國攻占，並將產品以“白菜價”向全球輸出，一方面能削弱美國制霸全球的物質基礎；另一方面將使中國在信息技術領域徹底擺脫產業發展受制於人，信息安全受制於人的不利局面。

想必這才是美國真正擔憂之所在。