[據今日半導體公司網站2015年3月13日報道]  美國科瑞公司日前推出一種工作頻率範圍為6～12GHz的25瓦氮化鎵單片微波集成電路。

利用氮化鎵技術的固有特性，新型單片微波集成電路具有極寬的帶寬和瞬態寬帶性能，可用於替代行波管放大器，適用於雷達、阻塞器、測試設備以及寬帶放大器等應用領域。

新型單片微波集成電路基於科瑞公司的氮化鎵高電子遷移率晶體管，採用0.25微米柵長製造工藝構建在碳化硅襯底上。該公司表示，碳化硅上氮化鎵相對於硅、砷化鎵以及硅上氮化鎵等，在擊穿電壓、電子飽和遷移速度以及熱傳導性等方面具有優異特性。氮化鎵高電子遷移率晶體管也能提供比硅、砷化鎵和硅上氮化鎵更大的功率密度和更大的帶寬。

新型氮化鎵單片微波集成電路功率放大器可用做管芯或採用更好散熱的10腳陶瓷法蘭封裝。兩者都能在6～12GHz提供30%的附加功率效率，以等幅波形式提供35瓦的輸出功率，可以罕見地將工作電壓提升至28伏，而尺寸僅為0.44厘米×0.61厘米×0.01厘米。管芯形式的小信號增益為32dB，典型飽和輸出功率為30瓦，封裝形式的小信號增益為33dB，典型飽和輸出功率為35瓦。