近日，由北方微電子自主研發的國內首台12英寸14納米FinFET等離子硅刻蝕機正式進入上海集成電路研發中心（“ICRD”），與客戶共同開展研發工作。

上海集成電路研發中心於2002年12月組建成立，2007年5月被國家發展和改革委員會等六部委核准為國家級集成電路研發中心。研發中心保持以發展與中國集成電路產業相適應的應用技術為主線，引導着國際最先進的集成電路技術，致力於成為國內最先進的可與生產線匹配的共性工藝研發平台。此次14納米高端微電子裝備的順利進廠標誌着中國集成電路裝備技術取得了新的突破，也預示着中國集成電路產業即將邁入全新的技術時代。

14納米集成電路製造技術是目前世界最先進的半導體工藝製造技術，自14nm(包括14nm)之後，採用FinFET 3D結構工藝已成為主流技術。14納米FinFET是一種新型多柵3D晶體管，和傳統的平面型晶體管相比，FinFET器件具有更顯著的功耗和性能優勢，14nm FinFET 3D工藝引入了截然不同的工藝流程，這對其流程中的關鍵製造設備帶來了更高的挑戰！

作為中國自主開發集成電路高端製造裝備的先行者，北方微電子NMC 612D 14nm FinFET刻蝕機以全新的設計理念來實現14nm FinFET刻蝕工藝的要求。設備採用了新開發的同步脈衝等離子技術，通過對等離子體的實時控制和診斷來實現低損傷和高選擇比，採用多區ESC以獲得更高的CD均勻性，增加高溫上電極的設計來降低缺陷，增大Throughput，設備多項關鍵指標達到國際先進水平。

NMC 612D 14納米等離子硅刻蝕機Move in上海集成電路研發中心是北方微電子通過技術創新取得又一重要成績。憑藉機台優異的性能和28nm的成功經驗，我們期待NMC 612D14納米等離子硅刻蝕機創造更多的優異成績! 北方微電子願通過持續的技術創新，與產業協同發展，共同迎來14納米技術時代！