从完全的生产链角度考虑，芯片制造有四大关键：芯片设计、光刻机制造、芯片制程、芯片封测。中国芯片制造业在这四大关键的水平如下。

芯片设计：接近世界水平（与高通的水平差不多）

光刻机器：目前达90纳米，正在朝28纳米努力（最新ASML光刻机3纳米）

芯片制程：14纳米（世纪先进水平-台积电5纳米，正接近2-3纳米）

芯片封测：接近世界水平，达5纳米

总体而言，世界目前最先进的量产芯片在5纳米的水平，今后5年内可能实现2至3纳米。中国从国外所购买的光刻机在14纳米的水平。由于美国推动的禁运卡脖子，中国无法得到精度在14纳米以下的光刻机。所以在今后相当长的一段时间里，中国芯片量产生产的水平将限制于7-14纳米，并且良率与生产成本远远落后于世界先进水平。

以中国军用的角度而言，目前14-90纳米的芯片似乎足矣，也不必考虑良率与生产成本（因为打仗就是烧钱）。但从民用商业与国际竞争力的角度来看，拥有先进芯片制造技术与低成本的中低端芯片制造能力，却是必不可少的。

有鉴于此，中国芯片制造在今后10年有以下三个方向：

（1）努力降低中低端芯片（28-90纳米）的制造成本，使其接近世界水平

（2）研发出可生产14-28纳米的光刻机，为以后5-7纳米生产积累经验

（3）将芯片制程技术提高到5-7纳米的水平

当上述三点完成后，中国就具备了赶超世界先进芯片制造的基础。当然，你在进步，别人也在进步。不过，有了一条自主的完整的7纳米产业链，再给两个10年的时间（此现在起总共30年），中国的芯片制造就有可能接近世界先进水平。